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Si7409ADN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.030
4000
0.024
V GS = 2.5 V
3200
0.018
0.012
0.006
0.000
V GS = 4.5 V
2400
1600
800
0
C rss
C oss
C iss
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
5
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
4
3
2
1
0
V DS = 15 V
I D = 11 A
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 4.5 V
I D = 11 A
0
5
10
15
20
25
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
30
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.12
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
0.10
1
T J = 150 °C
0.08
I D = 11 A
0.06
0.1
0.04
0.01
T J = 25 °C
0.02
0.001
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 73246
S-83051-Rev. C, 29-Dec-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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